ON Semiconductor - 1N5223B_T50R

KEY Part #: K6479708

[4656шт шт]


    Частка нумар:
    1N5223B_T50R
    Вытворца:
    ON Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - JFET, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя and Модулі драйвераў харчавання ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor 1N5223B_T50R. 1N5223B_T50R можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1N5223B_T50R Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : 1N5223B_T50R
    Вытворца : ON Semiconductor
    Апісанне : DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Напружанне - Зэнер (Ном) (Vz) : 2.7V
    Талерантнасць : ±5%
    Магутнасць - Макс : 500mW
    Імпеданс (макс.) (Zzt) : 30 Ohms
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 75µA @ 1V
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.2V @ 200mA
    Працоўная тэмпература : -65°C ~ 200°C
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет / футляр : DO-204AH, DO-35, Axial
    Пакет прылад пастаўшчыка : DO-35

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • BAW156E6327HTSA1

      Infineon Technologies

      DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

    • MMBD1705A

      ON Semiconductor

      DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

    • SMBD7000E6327HTSA1

      Infineon Technologies

      DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

    • 1SS181,LF

      Toshiba Semiconductor and Storage

      DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

    • BAV170E6433HTMA1

      Infineon Technologies

      DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

    • BAV70E6433HTMA1

      Infineon Technologies

      DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA