GeneSiC Semiconductor - 1N3765R

KEY Part #: K6425447

1N3765R Цэнаўтварэнне (USD) [11842шт шт]

  • 1 pcs$3.48004
  • 100 pcs$3.37202

Частка нумар:
1N3765R
Вытворца:
GeneSiC Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP REV 700V 35A DO5. Rectifiers 700V 35A REV Leads Std. Recovery
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor 1N3765R. 1N3765R можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3765R Атрыбуты прадукту

Частка нумар : 1N3765R
Вытворца : GeneSiC Semiconductor
Апісанне : DIODE GEN PURP REV 700V 35A DO5
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard, Reverse Polarity
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 700V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 35A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.2V @ 35A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 50V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Chassis, Stud Mount
Пакет / футляр : DO-203AB, DO-5, Stud
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-5
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 190°C
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BAS70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • QH12BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier

  • QH03BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 3A, Rectifier

  • VS-SD1100C12C

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp

  • 63SPB100A

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A.

  • SBAS116LT1G

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T