LL4148-M-18 Цэнаўтварэнне (USD) [3812532шт шт]
- 1 pcs$0.00970
- 10,000 pcs$0.00914
- 30,000 pcs$0.00822
- 50,000 pcs$0.00731
- 100,000 pcs$0.00685
- 250,000 pcs$0.00609
- Частка нумар:
- LL4148-M-18
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 100V 300MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode GenpurpMinimelf-e2-M
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division LL4148-M-18. LL4148-M-18 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
LL4148-M-18 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
LL4148-M-18
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE GEN PURP 100V 300MA SOD80
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
300mA
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1V @ 50mA
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
8ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
25nA @ 20V
Ёмістасць @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Пакет прылад пастаўшчыка :
SOD-80 MiniMELF
Працоўная тэмпература - развязка :
175°C (Max)
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Гарачыя часткі
- BYV60W-600PQ
- 1N5821-A
- 1N4007-N-2-2-BP
- 1N6763
- 1N6843
- JANTX1N6843CCU3
- IDK03G65C5XTMA1
- MBRS3201PT3G
- GDP30P120B
- VS-6TQ035-N3
- VS-10ETF02STRLPBF
- V30120SHM3/4W
- RGP10KHM3/54
- S42160
- SB10-03A2-BT
- 1N3909A
- MBRB1050HE3/45
- S5GHE3/57T
- STTH5BCF060
- SRP300K-E3/54
- 70UR60G BK R
- GP15BHE3/73
- MDO1200-22N1
- IDD10SG60CXTMA1
- 1N4001GP
- BAS21_ND87Z
- VS-30BQ040TRPBF
- VS-10TQ045SPBF
- RS1D/1
- 8ETX06STRL
- MA27D2700L
- 181NQ045
- VS-90SQ045
- MBR1045/45
- HER203-AP
- CDLL0.5A30
- STPSC12065D
- RB068M-60TR
- HS3A M6G
- 1N4002GP-E3/73