GeneSiC Semiconductor - GA10JT12-247

KEY Part #: K6404176

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Тырыстары - SCR, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - JFET and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247. GA10JT12-247 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : GA10JT12-247

Вытворца : GeneSiC Semiconductor

Апісанне : TRANS SJT 1.2KV 10A

Серыя : -

Статус часткі : Obsolete

Тып FET : -

Тэхналогіі : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1200V

Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 10A (Tc)

Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 10A

Vgs (й) (Max) @ Id : -

Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -

Vgs (макс.) : -

Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : -

Функцыя FET : -

Рассейванне магутнасці (макс.) : 170W (Tc)

Працоўная тэмпература : 175°C (TJ)

Тып мантажу : Through Hole

Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247AB

Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

NP60N055VUK-E1-AY

Renesas Electronics America

MOSFET N-CH 55V 60A TO-252.
NP60N04VUK-E1-AY

Renesas Electronics America

MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.
AUIRLR024Z

Infineon Technologies

MOSFET N CH 55V 16A DPAK.
AUIRFR4292

Infineon Technologies

MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.
IRFR7440PBF

Infineon Technologies

MOSFET N CH 40V 90A DPAK.
TK16A60W5,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.

Гарачыя часткі