Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
IGBT CHIP WAFER
Статус часткі :
Not For New Designs
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) :
600V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) :
8A
Ток - Імпульсны калекцыянер (мкм) :
-
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic :
-
Тд (уключэнне / выключэнне) пры 25 ° С :
-
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
-
Працоўная тэмпература :
175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
Die