Rohm Semiconductor - RQ3E120BNTB

KEY Part #: K6394145

RQ3E120BNTB Цэнаўтварэнне (USD) [622023шт шт]

  • 1 pcs$0.06574
  • 3,000 pcs$0.06541

Частка нумар:
RQ3E120BNTB
Вытворца:
Rohm Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Тырыстары - SCR - Модулі, Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Rohm Semiconductor RQ3E120BNTB. RQ3E120BNTB можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RQ3E120BNTB Атрыбуты прадукту

Частка нумар : RQ3E120BNTB
Вытворца : Rohm Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 12A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1500pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2W (Ta)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-HSMT (3.2x3)
Пакет / футляр : 8-PowerVDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVP4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4206ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • ZVN4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3.

  • ZVN4210ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

  • SIE802DF-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK.