SIDC30D120H8X1SA4 Цэнаўтварэнне (USD) [18300шт шт]
- 1 pcs$2.25198
- Частка нумар:
- SIDC30D120H8X1SA4
- Вытворца:
- Infineon Technologies
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies SIDC30D120H8X1SA4. SIDC30D120H8X1SA4 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
SIDC30D120H8X1SA4 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
SIDC30D120H8X1SA4
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
1200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
50A (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.97V @ 50A
Хуткасць :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
-
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
27µA @ 1200V
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
Die
Пакет прылад пастаўшчыка :
Sawn on foil
Працоўная тэмпература - развязка :
-40°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
1SS307(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 30V 3 pins, S-Mini 0.1A
-
SB220-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Volt 2.0 Amp 60 Amp IFSM
-
V15P8HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 80V 15A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 15A, 80V, SMPC AEC-Q101 Qualified
-
SS10PH10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A 100V SM Schottky Rect
-
VS-6ESU06HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A. Rectifiers Ultrafst Rct 6A 600V AEC-Q101
-
V10PN50-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 50V 5.3A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,50V,TRENCH SKY RECT.
Гарачыя часткі
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR