Microsemi Corporation - APTGT300A60TG

KEY Part #: K6532537

APTGT300A60TG Цэнаўтварэнне (USD) [813шт шт]

  • 1 pcs$57.09348

Частка нумар:
APTGT300A60TG
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APTGT300A60TG. APTGT300A60TG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT300A60TG Атрыбуты прадукту

Частка нумар : APTGT300A60TG
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып IGBT : Trench Field Stop
Канфігурацыя : Half Bridge
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 600V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 430A
Магутнасць - Макс : 935W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 300A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 350µA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 18.4nF @ 25V
Увод : Standard
NTC-цеплавізатар : Yes
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : SP4
Пакет прылад пастаўшчыка : SP4

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.