Taiwan Semiconductor Corporation - TSM4936DCS RLG

KEY Part #: K6522943

TSM4936DCS RLG Цэнаўтварэнне (USD) [355350шт шт]

  • 1 pcs$0.10409

Частка нумар:
TSM4936DCS RLG
Вытворца:
Taiwan Semiconductor Corporation
Падрабязнае апісанне:
MOSFET 2 N-CH 30V 5.9A 8SOP.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Тырыстары - SCR, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation TSM4936DCS RLG. TSM4936DCS RLG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM4936DCS RLG Атрыбуты прадукту

Частка нумар : TSM4936DCS RLG
Вытворца : Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне : MOSFET 2 N-CH 30V 5.9A 8SOP
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : 2 N-Channel (Dual)
Функцыя FET : Standard
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 13nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 610pF @ 15V
Магутнасць - Макс : 3W
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SOP

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • DMN2040LTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.

  • AO8801AL

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP.