Infineon Technologies - IRGC4263B

KEY Part #: K6424857

IRGC4263B Цэнаўтварэнне (USD) [42051шт шт]

  • 1 pcs$1.56448

Частка нумар:
IRGC4263B
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
IGBT CHIP WAFER.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IRGC4263B. IRGC4263B можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRGC4263B Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRGC4263B
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : IGBT CHIP WAFER
Серыя : -
Статус часткі : Not For New Designs
Тып IGBT : Trench Field Stop
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 650V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 48A
Ток - Імпульсны калекцыянер (мкм) : -
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : -
Магутнасць - Макс : -
Пераключэнне энергіі : -
Тып уводу : Standard
Зарад брамы : -
Тд (уключэнне / выключэнне) пры 25 ° С : -
Стан тэсту : -
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 60ns
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : Die
Пакет прылад пастаўшчыка : Die

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў