Taiwan Semiconductor Corporation - TSM60NB1R4CH C5G

KEY Part #: K6417427

TSM60NB1R4CH C5G Цэнаўтварэнне (USD) [103911шт шт]

  • 1 pcs$0.37629

Частка нумар:
TSM60NB1R4CH C5G
Вытворца:
Taiwan Semiconductor Corporation
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB1R4CH C5G. TSM60NB1R4CH C5G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM60NB1R4CH C5G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : TSM60NB1R4CH C5G
Вытворца : Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне : MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 7.12nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 257.3pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 28.4W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-251 (IPAK)
Пакет / футляр : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BS250P

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3.

  • AUIRLS3034-7TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 380A D2PAK-7P.

  • IRFR6215TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK12A80W,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS.

  • R5016ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM.

  • IXKP13N60C5M

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP.