Microsemi Corporation - JANTX1N4104UR-1

KEY Part #: K6479702

JANTX1N4104UR-1 Цэнаўтварэнне (USD) [6426шт шт]

  • 1 pcs$5.67181
  • 10 pcs$5.15487
  • 25 pcs$4.76820
  • 100 pcs$4.38166
  • 250 pcs$3.99502
  • 500 pcs$3.73728

Частка нумар:
JANTX1N4104UR-1
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE ZENER 10V 500MW DO213AA. Zener Diodes Zener Diodes
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JANTX1N4104UR-1. JANTX1N4104UR-1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N4104UR-1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : JANTX1N4104UR-1
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : DIODE ZENER 10V 500MW DO213AA
Серыя : Military
Статус часткі : Active
Напружанне - Зэнер (Ном) (Vz) : 10V
Талерантнасць : ±5%
Магутнасць - Макс : 500mW
Імпеданс (макс.) (Zzt) : 200 Ohms
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 500nA @ 7.6V
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.1V @ 200mA
Працоўная тэмпература : -65°C ~ 175°C
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-213AA
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-213AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BAR43C

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3.

  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array