MT46H32M32LFB5-5 IT:B TR Цэнаўтварэнне (USD) [13027шт шт]
- 1 pcs$3.53520
- 1,000 pcs$3.51761
- Частка нумар:
- MT46H32M32LFB5-5 IT:B TR
- Вытворца:
- Micron Technology Inc.
- Падрабязнае апісанне:
- IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM MOBILE DDR 1G 32MX32 FBGA
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Інтэрфейс - датчык, ёмісты сэнсарны, Гадзіннік / таймінг - праграмуемыя таймеры і асцыл, Памяць - Proms налады для FPGA, Логіка - перамыкачы сігналаў, мультыплексары, дэка, Гадзіннік / тэрміны - буферныя гадзіны, драйверы, Інтэрфейс - Аналагавыя перамыкачы - спецыяльнага п, Убудаваны - Мікрапрацэсары and Убудаваны - мікракантролер, мікрапрацэсар, модулі ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Micron Technology Inc. MT46H32M32LFB5-5 IT:B TR. MT46H32M32LFB5-5 IT:B TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
MT46H32M32LFB5-5 IT:B TR Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
MT46H32M32LFB5-5 IT:B TR
Вытворца :
Micron Technology Inc.
Апісанне :
IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Тып памяці :
Volatile
Фармат памяці :
DRAM
Тэхналогіі :
SDRAM - Mobile LPDDR
Памер памяці :
1Gb (32M x 32)
Тактовая частата :
200MHz
Час цыкла напісання - слова, старонка :
15ns
Час доступу :
5.0ns
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - падача :
1.7V ~ 1.95V
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
90-VFBGA
Пакет прылад пастаўшчыка :
90-VFBGA (8x13)
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
71321SA55JG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT
-
-
IS42S32800G-6BI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M 8Mx32 166Mhz SDRAM, 3.3v
-
IS43R86400D-5TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
-
IS43R16320D-5TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
-
Гарачыя часткі
- W25P20VSNIG T&R
- AT27BV020-90JU
- AT49F040A-70TI-T
- AT49BV6416-70TU-T
- AT24C08AN-10SI-2.7-T
- AT25040AN-10SU-2.7
- CY7C1361B-117AC
- M27C256B-15B1
- AT49BV320T-90UI
- FM93C46EN
- AT28C17E-20JC
- AT27C1024-70VC
- NM27C010VE120
- R1RW0416DSB-2PR#B0
- W25Q64FVZPJQ TR
- W25Q128FVFJP TR
- MSP14LV164-E1-GH-001
- CG7925AM
- W632GU8AB-11
- EDB4064B3PD-8D-F-D
- CG7841AA
- LE26CAP08TT-BH
- W25Q16CVZPJG TR
- CY7C1380S-167BZCT
- M25P40-VMC6TGB TR
- 70V9289L9PRFI8
- MT29F64G08AEAAAC5-ITZ:A
- CY7C025-15AXI
- MT29F2G08ABBEAH4:E TR
- MT41K256M16HA-125 IT:E
- MT46H128M32L2MC-5 IT:A
- SST39WF1602-70-4I-MBQE
- CY7C1514SV18-250BZC
- MT46H16M32LFCX-5 IT:B
- M93C66-RMB6TG
- IDT71V416L12PH
- IS45S16400F-6BLA1-TR
- CY62167DV18LL-55BVXIT
- W97AH6KBQX2E
- MX30LF1208AA-XKI