ON Semiconductor - ES2A

KEY Part #: K6455788

ES2A Цэнаўтварэнне (USD) [723793шт шт]

  • 1 pcs$0.05110
  • 3,000 pcs$0.04776
  • 6,000 pcs$0.04487
  • 15,000 pcs$0.04197
  • 30,000 pcs$0.03859

Частка нумар:
ES2A
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2.0a Rectifier UF Recovery
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor ES2A. ES2A можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES2A Атрыбуты прадукту

Частка нумар : ES2A
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 50V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 2A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 900mV @ 2A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 20ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 50V
Ёмістасць @ Vr, F : 18pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-214AA, SMB
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-214AA (SMB)
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BAS16-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V

  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns