ES1DHE3_A/H Цэнаўтварэнне (USD) [708763шт шт]
- 1 pcs$0.05219
- 1,800 pcs$0.04859
- 3,600 pcs$0.04454
- 5,400 pcs$0.04184
- 12,600 pcs$0.03914
- 45,000 pcs$0.03599
- Частка нумар:
- ES1DHE3_A/H
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - JFET and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division ES1DHE3_A/H. ES1DHE3_A/H можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
ES1DHE3_A/H Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
ES1DHE3_A/H
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
920mV @ 1A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
25ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
5µA @ 200V
Ёмістасць @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
DO-214AC, SMA
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-214AC (SMA)
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
MMBD4148-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 100V
-
S07J-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 600V 700MA DO219AB. Rectifiers 0.7 Amp 600 Volt 1.8uS
-
SS1FH10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 100V AEC-Q101 Qualified
-
BAW76-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 35 Volt 300mA 2ns
-
BAT85S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 200mA 30 Volt 5.0 Amp IFSM
-
SD103A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 20mA 40 Volt
Гарачыя часткі
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G