Vishay Siliconix - SQM90142E_GE3

KEY Part #: K6418158

SQM90142E_GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [53470шт шт]

  • 1 pcs$0.73126
  • 800 pcs$0.69323

Частка нумар:
SQM90142E_GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 200V 95A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - JFET, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SQM90142E_GE3. SQM90142E_GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM90142E_GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SQM90142E_GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Серыя : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 95A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 85nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 4200pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 375W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-263 (D²Pak)
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў