Infineon Technologies - IPG20N04S408AATMA1

KEY Part #: K6525190

IPG20N04S408AATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [121356шт шт]

  • 1 pcs$0.30478
  • 5,000 pcs$0.28607

Частка нумар:
IPG20N04S408AATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - SCR - Модулі and Тырыстары - SCR ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPG20N04S408AATMA1. IPG20N04S408AATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N04S408AATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPG20N04S408AATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Серыя : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : 2 N-Channel (Dual)
Функцыя FET : Standard
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.6 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 30µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 36nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2940pF @ 25V
Магутнасць - Макс : 65W
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 8-PowerVDFN
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TDSON-8-10

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • IRF7509TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.

  • SI6913DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.

  • DMN2016UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.

  • SP8J5TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC.