Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Модулі драйвераў харчавання
  5. GHIS080A120S1-E1

Global Power Technologies Group - GHIS080A120S1-E1

KEY Part #: K6531752

GHIS080A120S1-E1 Цэнаўтварэнне (USD) [1633шт шт]

  • 1 pcs$26.52187
  • 10 pcs$25.49077
Частка нумар:
GHIS080A120S1-E1
Вытворца:
Global Power Technologies Group
Падрабязнае апісанне:
SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Транзістары - JFET, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Global Power Technologies Group GHIS080A120S1-E1. GHIS080A120S1-E1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GHIS080A120S1-E1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : GHIS080A120S1-E1
Вытворца : Global Power Technologies Group
Апісанне : SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып : IGBT
Канфігурацыя : 1 Phase
Ток : 160A
Напружанне : 1.2kV
Напружанне - Ізаляцыя : 2500Vrms
Пакет / футляр : SOT-227-4, miniBLOC

Апошнія навіны

Global Specialties DSC-5300 Digital Storage Oscilloscope (DSO)
Global Specialties 1415 Dual Output DC Power Supply
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • DZ23C6V2-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23. Zener Diodes 6.2Volt 0.3 Watt 5%

  • DZ23C8V2-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 8.2V 300MW SOT23. Zener Diodes 8.2Volt 0.3 Watt 5%

  • DZ23C6V8-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 6.8V 300MW SOT23. Zener Diodes 6.8Volt 0.3 Watt 5%

  • AZ23C20-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 20V 300MW SOT23. Zener Diodes 20 Volt 0.3W 5% CA

  • DZ23C3V6-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 3.6V 300MW SOT23. Zener Diodes 3.6Volt 0.3 Watt 5%

  • DZ23C7V5-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 7.5V 300MW SOT23. Zener Diodes 7.5Volt 0.3 Watt 5%

Гарачыя часткі