MR256D08BMA45 Цэнаўтварэнне (USD) [16879шт шт]
- 1 pcs$2.55165
- 10 pcs$2.32910
- 25 pcs$2.28494
- 50 pcs$2.26925
- 100 pcs$2.03568
- 250 pcs$2.02784
- 500 pcs$1.90126
- 1,000 pcs$1.82036
- Частка нумар:
- MR256D08BMA45
- Вытворца:
- Everspin Technologies Inc.
- Падрабязнае апісанне:
- IC RAM 256K PARALLEL 48FBGA. NVRAM 256Kb 3.3V 45ns 32Kx8 Parallel MRAM
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Гадзіннік / тэрміны - Лініі затрымкі, Набор дадзеных - аналагавы пярэдні канец (AFE), Інтэрфейс - UARTs (Універсальны асінхронны перадат, Памяць - кантролеры, PMIC - Святлодыёдныя драйверы, Інтэрфейс - сігналізатары, Гадзіннік / таймінг - Гадзіны рэальнага часу and PMIC - зарадныя прылады ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Everspin Technologies Inc. MR256D08BMA45. MR256D08BMA45 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
MR256D08BMA45 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
MR256D08BMA45
Вытворца :
Everspin Technologies Inc.
Апісанне :
IC RAM 256K PARALLEL 48FBGA
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Тып памяці :
Non-Volatile
Фармат памяці :
RAM
Тэхналогіі :
MRAM (Magnetoresistive RAM)
Памер памяці :
256Kb (32K x 8)
Тактовая частата :
-
Час цыкла напісання - слова, старонка :
45ns
Час доступу :
45ns
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - падача :
3V ~ 3.6V
Працоўная тэмпература :
0°C ~ 70°C (TA)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
48-LFBGA
Пакет прылад пастаўшчыка :
48-FBGA (8x8)
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
-
AT28BV256-20SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
71321SA55JG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT
-
Гарачыя часткі
- CY7C024-25JXCT
- AT27LV520-70XU
- AT49BV320C-70TU
- NAND256W4A0AN6E
- AT49LV040-70TI
- AT45DB011-XC
- AT45D161-JI
- AT28C010-15SC
- VM29LV040B-120JC
- 7005S15J/2917
- 709279L15PFI
- MT29F256G08AUEDBJ6-12:D
- W25Q256FVBIP
- MT29F256G08CBCBBWP-10M:B TR
- S25FL116K0XMFIS11
- IS45S16160D-7BLA1-TR
- MT44K16M36RB-107E:A TR
- M25P32-VMW3TGB TR
- IS42S32400D-7B
- NAND01GW3B2AZA6E
- MT29F4G16ABADAH4-IT:D TR
- MT42L256M32D4MG-3 IT:A
- CY7C1313TV18-167BZC
- STK14C88-3WF35
- M29W128GSL70ZS6E
- IDT71V432S7PF
- IDT71V2556S133PFI
- 7130SA35PF
- 70V9099L9PF
- IDT6116SA20TPI
- CY7C1512AV18-250BZXIT
- IS42S32200E-6BL
- M27W401-80N6
- M27C4002-15F1
- IS42S16400D-7TL
- S29XS256RABBHI000
- S29GL128P10FFI0202
- S29AL016J70TFA023
- S25FL164K0XMFA013
- MX25L8008EZUI-12G