Частка нумар :
FQA7N80_F109
Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
800V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
7.2A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
52nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1850pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
198W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-3P
Пакет / футляр :
TO-3P-3, SC-65-3