Infineon Technologies - FZ1200R12HE4HOSA2

KEY Part #: K6533625

FZ1200R12HE4HOSA2 Цэнаўтварэнне (USD) [150шт шт]

  • 1 pcs$308.46537

Частка нумар:
FZ1200R12HE4HOSA2
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
IGBT MODULE 1200V 1200A.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - РФ, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies FZ1200R12HE4HOSA2. FZ1200R12HE4HOSA2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ1200R12HE4HOSA2 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FZ1200R12HE4HOSA2
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : IGBT MODULE 1200V 1200A
Серыя : *
Статус часткі : Active
Тып IGBT : -
Канфігурацыя : -
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : -
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : -
Магутнасць - Макс : -
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : -
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : -
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : -
Увод : -
NTC-цеплавізатар : -
Працоўная тэмпература : -
Тып мантажу : -
Пакет / футляр : -
Пакет прылад пастаўшчыка : -

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.