Vishay Semiconductor Diodes Division - SL23HE3/52T

KEY Part #: K6446700

[1677шт шт]


    Частка нумар:
    SL23HE3/52T
    Вытворца:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AA.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Тырыстары - SCR ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division SL23HE3/52T. SL23HE3/52T можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SL23HE3/52T Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : SL23HE3/52T
    Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Апісанне : DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AA
    Серыя : -
    Статус часткі : Discontinued at Digi-Key
    Дыёдны тып : Schottky
    Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 30V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 2A
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 440mV @ 2A
    Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 400µA @ 30V
    Ёмістасць @ Vr, F : -
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : DO-214AA, SMB
    Пакет прылад пастаўшчыка : DO-214AA (SMB)
    Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 125°C

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • IDB18E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.

    • VS-30CPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.

    • VS-80EPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.

    • VS-80EPF04PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 80A TO247AC.

    • MBR1650HE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 50V 16A TO220AB.

    • SRP600J-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 6A P600.