[2144шт шт]
- Частка нумар:
- AU3PMHM3/86A
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE AVALANCHE 1KV 1.4A TO277.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - РФ, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division AU3PMHM3/86A. AU3PMHM3/86A можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
AU3PMHM3/86A Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
AU3PMHM3/86A
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE AVALANCHE 1KV 1.4A TO277
Серыя :
eSMP®
Статус часткі :
Discontinued at Digi-Key
Дыёдны тып :
Avalanche
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
1000V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
1.4A (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
2.5V @ 3A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
75ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
10µA @ 1000V
Ёмістасць @ Vr, F :
42pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
TO-277, 3-PowerDFN
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-277A (SMPC)
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
-
BYG22A-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC. Rectifiers 2.0 Amp 50 Volt
-
BYS10-45-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 1.5A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.5 Amp 45 Volt
-
RS1A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0 Amp 50V 150ns
-
US1KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC. Rectifiers 800 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM
-
RS1GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC. Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns 36 Amp IFSM
Гарачыя часткі
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18