Infineon Technologies - IPP80N06S2L-07

KEY Part #: K6407140

IPP80N06S2L-07 Цэнаўтварэнне (USD) [1076шт шт]

  • 1 pcs$0.61879
  • 10 pcs$0.55524
  • 100 pcs$0.44615
  • 500 pcs$0.34676
  • 1,000 pcs$0.28731

Частка нумар:
IPP80N06S2L-07
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Тырыстары - SCR - Модулі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Модулі драйвераў харчавання and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPP80N06S2L-07. IPP80N06S2L-07 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP80N06S2L-07 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPP80N06S2L-07
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Discontinued at Digi-Key
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 55V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 80A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2V @ 150µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3160pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 210W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO220-3-1
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVP3310A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3.

  • ZVN4306AV

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

  • IRFR5505GTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

  • IRLR3636PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.

  • SN7002NL6433HTMA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23.

  • SN7002W L6433

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323.