Vishay Semiconductor Diodes Division - RGF1J-E3/67A

KEY Part #: K6455131

RGF1J-E3/67A Цэнаўтварэнне (USD) [550125шт шт]

  • 1 pcs$0.07095
  • 1,500 pcs$0.07060
  • 3,000 pcs$0.06437
  • 7,500 pcs$0.06021
  • 10,500 pcs$0.05606

Частка нумар:
RGF1J-E3/67A
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - JFET, Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division RGF1J-E3/67A. RGF1J-E3/67A можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGF1J-E3/67A Атрыбуты прадукту

Частка нумар : RGF1J-E3/67A
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA
Серыя : SUPERECTIFIER®
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.3V @ 1A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 250ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F : 8.5pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-214BA
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-214BA (GF1)
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • RURD660S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V

  • DB3X314K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 30MA MINI3.

  • BAT46WFILM

    STMicroelectronics

    DIODE SCHOTTKY 100V 150MA SOT323. Schottky Diodes & Rectifiers 150mA 100 Volt

  • MBRB40250TG

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 250V 40A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers REC D2PAK 40A 250V SHOTTKY

  • VS-50WQ04FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • BAV20W-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM