Infineon Technologies - IPG20N04S412AATMA1

KEY Part #: K6525326

IPG20N04S412AATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [194417шт шт]

  • 1 pcs$0.19025
  • 5,000 pcs$0.17457

Частка нумар:
IPG20N04S412AATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPG20N04S412AATMA1. IPG20N04S412AATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N04S412AATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPG20N04S412AATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Серыя : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : 2 N-Channel (Dual)
Функцыя FET : Standard
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 15µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 18nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1470pF @ 25V
Магутнасць - Макс : 41W
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 8-PowerVDFN
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TDSON-8-10

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў