Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
2.5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
15nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
270pF @ 20V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1.6W (Ta), 2.5W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SO
Пакет / футляр :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)