Частка нумар :
GSID600A120S4B1
Вытворца :
Global Power Technologies Group
Апісанне :
SILICON IGBT MODULES
Канфігурацыя :
Half Bridge
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) :
1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) :
1130A
Магутнасць - Макс :
3060W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 600A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) :
1mA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce :
51nF @ 25V
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C
Тып мантажу :
Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
Module