Частка нумар :
RDN100N20FU6
Вытворца :
Rohm Semiconductor
Апісанне :
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
10A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
30nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
543pF @ 10V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
35W (Tc)
Працоўная тэмпература :
150°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-220FN
Пакет / футляр :
TO-220-3 Full Pack