BAV23QAZ Цэнаўтварэнне (USD) [1303433шт шт]
- 1 pcs$0.02838
- Частка нумар:
- BAV23QAZ
- Вытворца:
- Nexperia USA Inc.
- Падрабязнае апісанне:
- BAV23QA/SOT1215/DFN1010D-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching BAV23QA DFN1010D-3
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Тырыстары - SCR - Модулі, Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Nexperia USA Inc. BAV23QAZ. BAV23QAZ можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
BAV23QAZ Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
BAV23QAZ
Вытворца :
Nexperia USA Inc.
Апісанне :
BAV23QA/SOT1215/DFN1010D-3
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
250V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
330mA (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.25V @ 200mA
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
50ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
100nA @ 200V
Ёмістасць @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
3-XDFN Exposed Pad
Пакет прылад пастаўшчыка :
DFN1010D-3
Працоўная тэмпература - развязка :
150°C (Max)
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
MBRD6100CT-TP
Micro Commercial Co
6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER
-
-
GL41M-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM
-
BYM10-800-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
RGL34K-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
Гарачыя часткі
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A