GeneSiC Semiconductor - S12GR

KEY Part #: K6425050

S12GR Цэнаўтварэнне (USD) [22785шт шт]

  • 1 pcs$1.80876
  • 200 pcs$1.05439

Частка нумар:
S12GR
Вытворца:
GeneSiC Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4. Rectifiers 400V 12A REV Leads Std. Recovery
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor S12GR. S12GR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S12GR Атрыбуты прадукту

Частка нумар : S12GR
Вытворца : GeneSiC Semiconductor
Апісанне : DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard, Reverse Polarity
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 400V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 12A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.1V @ 12A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 50V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Chassis, Stud Mount
Пакет / футляр : DO-203AA, DO-4, Stud
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-4
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • FGD5T120SH

    ON Semiconductor

    IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.

  • FGD3N60UNDF

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 60W DPAK.

  • BAS40E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • LXA06B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr

  • QH05BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

  • QH08BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier