Microsemi Corporation - APT34M120J

KEY Part #: K6392618

APT34M120J Цэнаўтварэнне (USD) [1689шт шт]

  • 1 pcs$25.62512
  • 10 pcs$24.11986
  • 25 pcs$22.61238
  • 100 pcs$21.55702

Частка нумар:
APT34M120J
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APT34M120J. APT34M120J можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT34M120J Атрыбуты прадукту

Частка нумар : APT34M120J
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 35A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 560nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 18200pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 960W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-227
Пакет / футляр : SOT-227-4, miniBLOC

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VN3205N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • FDD8796

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 35A DPAK.

  • FQD7N30TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK.

  • FQD5N20LTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK.

  • FDD3670

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK.

  • HUF76609D3ST

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 10A DPAK.