TC58CYG0S3HRAIG Цэнаўтварэнне (USD) [20073шт шт]
- 1 pcs$2.28283
- Частка нумар:
- TC58CYG0S3HRAIG
- Вытворца:
- Toshiba Memory America, Inc.
- Падрабязнае апісанне:
- 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V. NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm Serial NAND
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Гадзіннік / тэрміны - буферныя гадзіны, драйверы, Інтэрфейс - сігнальныя буферы, паўтаральнікі, разд, Гадзіннік / таймінг - праграмуемыя таймеры і асцыл, Гадзіннік / таймінг - генератары гадзінніка, PLL, , Збор дадзеных - лічбавыя патэнцыяметры, Логіка - зменныя рэестры, Убудаваны - FPGA (палявая праграмуемая брама) and Набор дадзеных - аналагавы пярэдні канец (AFE) ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Toshiba Memory America, Inc. TC58CYG0S3HRAIG. TC58CYG0S3HRAIG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
TC58CYG0S3HRAIG Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
TC58CYG0S3HRAIG
Вытворца :
Toshiba Memory America, Inc.
Апісанне :
1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Тып памяці :
Non-Volatile
Фармат памяці :
FLASH
Тэхналогіі :
FLASH - NAND (SLC)
Памер памяці :
2Gb (256M x 8)
Тактовая частата :
104MHz
Час цыкла напісання - слова, старонка :
-
Час доступу :
-
Інтэрфейс памяці :
SPI
Напружанне - падача :
1.7V ~ 1.95V
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
-
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-WSON (6x8)
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
-
-
-
W25M512JVFIQ
Winbond Electronics
IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector
-
71V25761S166PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline
-
Гарачыя часткі
- MT46V32M16P-75:C
- MT28F800B3SG-9 T TR
- AT24C64AN-10SI-2.7-T
- AT49LV002N-70VI
- CY7C028-15AC
- AT25128N-10SI-1.8
- S29GL128N10FFI020
- MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR
- MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C
- 71V30VL90TF8
- 93C46B/W15K
- 93C46B-I/W15K
- 24AA16-I/W16K
- S99FL164KMI00
- A2C00045230 A
- IS65WV25616DBLL-45CTLA1
- MT49H32M18CSJ-25E IT:B
- IS62WV6416DBLL-45BLI
- IS61NVP51236-200B3LI
- M25P128-VME6GB
- N25Q512A83GSF40F TR
- MT48LC8M16A2P-7E IT:L
- MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT
- MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR
- W25Q16CVSFIG TR
- MX25U6435EZNI-12G
- MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT
- MT47H128M8JN-3 IT:H
- MT47H128M8CF-25E:H
- SST39SF020A-45-4I-WHE
- STK11C68-L35
- JS28F00AP33BF0
- IDT71V416VS15YG
- 71V321S25J8
- 70V9199L9PF
- 7024L20PF8
- CY7C1412BV18-250BZXC
- CY7C1460AV25-167BZXI
- CY7C1360C-166BZI
- M29F040B90N1T TR