IXYS - IXFT50N60P3

KEY Part #: K6394761

IXFT50N60P3 Цэнаўтварэнне (USD) [13823шт шт]

  • 1 pcs$3.44564
  • 30 pcs$3.42850

Частка нумар:
IXFT50N60P3
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 50A TO268.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - SCR, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFT50N60P3. IXFT50N60P3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT50N60P3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFT50N60P3
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 50A TO268
Серыя : HiPerFET™, Polar3™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 50A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 145 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 94nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 6300pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1040W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-268
Пакет / футляр : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA