Diodes Incorporated - DMP3065LVT-13

KEY Part #: K6402658

DMP3065LVT-13 Цэнаўтварэнне (USD) [2628шт шт]

  • 10,000 pcs$0.05520

Частка нумар:
DMP3065LVT-13
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 30V 5.1A TSOT-26.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMP3065LVT-13. DMP3065LVT-13 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP3065LVT-13 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMP3065LVT-13
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET P-CH 30V 5.1A TSOT-26
Серыя : -
Статус часткі : Obsolete
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 5.1A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 880pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.2W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TSOT-26
Пакет / футляр : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BS170PSTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • GP2M005A060CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

  • GP2M005A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

  • GP1M016A025CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

  • GP1M008A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.

  • GP1M007A065CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.