Vishay Siliconix - SI7726DN-T1-GE3

KEY Part #: K6420617

SI7726DN-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [219327шт шт]

  • 1 pcs$0.16864

Частка нумар:
SI7726DN-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - масівы and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI7726DN-T1-GE3. SI7726DN-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7726DN-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI7726DN-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Серыя : SkyFET®, TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 35A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.6V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1765pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Працоўная тэмпература : -50°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® 1212-8
Пакет / футляр : PowerPAK® 1212-8

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў