Vishay Semiconductor Diodes Division - S3BHE3_A/H

KEY Part #: K6445104

S3BHE3_A/H Цэнаўтварэнне (USD) [363076шт шт]

  • 1 pcs$0.10187
  • 1,700 pcs$0.07483

Частка нумар:
S3BHE3_A/H
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB. Rectifiers 3A 100V 100A@8.3ms Single Die Auto
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - JFET, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - Зэнер - Масівы and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division S3BHE3_A/H. S3BHE3_A/H можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S3BHE3_A/H Атрыбуты прадукту

Частка нумар : S3BHE3_A/H
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 3A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.15V @ 2.5A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 2.5µs
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 100V
Ёмістасць @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-214AB, SMC
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-214AB (SMC)
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-50WQ06FNPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-8ETX06SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK.

  • VS-1N5817

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL.

  • DSR01S30SC(TPL3)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2.

  • 12TQ150

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AC.

  • SCS108AGC

    Rohm Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Barrier Diode; 600V, 8A