Частка нумар :
APTGT75DH120T3G
Вытворца :
Microsemi Corporation
Апісанне :
MOD IGBT 1200V 110A SP3
Тып IGBT :
Trench Field Stop
Канфігурацыя :
Asymmetrical Bridge
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) :
1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) :
110A
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 75A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) :
250µA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce :
5.34nF @ 25V
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
SP3