Diodes Incorporated - DMN2053UVT-13

KEY Part #: K6522502

DMN2053UVT-13 Цэнаўтварэнне (USD) [842079шт шт]

  • 1 pcs$0.04392

Частка нумар:
DMN2053UVT-13
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET BVDSS 8V-24V TSOT26 TR.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMN2053UVT-13. DMN2053UVT-13 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2053UVT-13 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMN2053UVT-13
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET BVDSS 8V-24V TSOT26 TR
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : 2 N-Channel (Dual)
Функцыя FET : Standard
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 3.6nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 369pF @ 10V
Магутнасць - Макс : 700mW (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Пакет прылад пастаўшчыка : TSOT-26

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў