BAV21WS-HE3-18 Цэнаўтварэнне (USD) [2097832шт шт]
- 1 pcs$0.01763
- 10,000 pcs$0.01631
- Частка нумар:
- BAV21WS-HE3-18
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250V 625mA 1A IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - JFET, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - Модулі, Модулі драйвераў харчавання and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division BAV21WS-HE3-18. BAV21WS-HE3-18 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
BAV21WS-HE3-18 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
BAV21WS-HE3-18
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
250mA (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.25V @ 200mA
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
50ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
100nA @ 200V
Ёмістасць @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
SC-76, SOD-323
Пакет прылад пастаўшчыка :
SOD-323
Працоўная тэмпература - развязка :
150°C (Max)
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
-
SE20FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
BYM11-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated
-
BYM10-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
VSKY20301608-G4-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 2A 0603. Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vrrm 375pF 500mV at 2.0A
-
BAV21WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250V 625mA 1A IFSM
Гарачыя часткі
- IDL10G65C5XUMA1
- IDK03G65C5XTMA1
- JANTXV1N1190R
- VS-150SQ030
- 1N6304R
- RGP10K-M3/54
- RK 14
- VS-80SQ030TR
- S4250TS
- CD1005-B0140R
- SUF15G-E3/54
- SS3P6-E3/85A
- CDBP0130R-G
- BY229B-400-E3/81
- FGP50D-E3/73
- S204100
- ES3A-E3/51T
- FFPF06UP20STU
- VS-90SQ035TR
- R2040
- 8ETH03
- 80EPS12
- 300HF40P
- S3G-13
- FR603-T
- HFA25PB60
- VS-95SQ015
- SF12M-TP
- CR3-060GPP BK
- APD245VRTR-G1
- MUR140-TP
- HER204-TP
- FR154-TP
- 1N4944-TP
- 1A4-AP
- GIB1404HE3/81
- CMR1U-02 BK
- RX 10ZV
- SE10PB-M3/85A
- SE07PD-M3/85A