SF47GHB0G Цэнаўтварэнне (USD) [429983шт шт]
- 1 pcs$0.08602
- Частка нумар:
- SF47GHB0G
- Вытворца:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 500V 4A DO201AD.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - SCR, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Транзістары - IGBT - Модулі ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation SF47GHB0G. SF47GHB0G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
SF47GHB0G Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
SF47GHB0G
Вытворца :
Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне :
DIODE GEN PURP 500V 4A DO201AD
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
500V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
4A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.7V @ 4A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
35ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
5µA @ 500V
Ёмістасць @ Vr, F :
80pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
DO-201AD, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-201AD
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
SS1FN6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1A,60V,SMFSkty Rect
-
SS3P6LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 3A,60V,SM SKY RECT.
-
AU3PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 200V 1.7A TO277A. Rectifiers 3A,200V, SMPC,FER, Avalanche SM
-
AU2PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 200V 1.6A TO277A. Rectifiers 2A,200V,FER, Avalanche SM
-
AR4PK-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 800V 1.8A TO277A. Rectifiers 4A,800V,Fast RecoveryAvalanche SM
-
VS-6ESH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 6A 100V
Гарачыя часткі
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR