ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46DR16640C-3DBLA1-TR

KEY Part #: K938173

Падрабязнае апісанне:: IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ. DRAM Automotive 1G 1.8V DDR2 64Mx16 333MHz

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Інтэрфейс - CODEC, Памяць - батарэі, Логіка - Перакладчыкі, Змяняльнікі ўзроўню, Убудаваны - FPGA (палявая праграмуемая брама), Інтэрфейс - Модулі, Логіка - буферы, драйверы, прыёмнікі, прымачы, Гадзіннік / тэрміны - Спецыфічнае прымяненне and PMIC - Тэрмічнае кіраванне ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640C-3DBLA1-TR. IS46DR16640C-3DBLA1-TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : IS46DR16640C-3DBLA1-TR

Вытворца : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Апісанне : IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ

Серыя : -

Статус часткі : Active

Тып памяці : Volatile

Фармат памяці : DRAM

Тэхналогіі : SDRAM - DDR2

Памер памяці : 1Gb (64M x 16)

Тактовая частата : 333MHz

Час цыкла напісання - слова, старонка : 15ns

Час доступу : 450ps

Інтэрфейс памяці : Parallel

Напружанне - падача : 1.7V ~ 1.9V

Працоўная тэмпература : -40°C ~ 85°C (TA)

Тып мантажу : Surface Mount

Пакет / футляр : 84-TFBGA

Пакет прылад пастаўшчыка : 84-TWBGA (8x12.5)

Silicom MinnowBoard Turbot

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

AT27C4096-90PU

Microchip Technology

IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns
71V3576S150PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.
71V3577S75PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
W94AD2KBJX5I

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp
TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

Гарачыя часткі