GeneSiC Semiconductor - 1N8033-GA

KEY Part #: K6446536

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor 1N8033-GA. 1N8033-GA можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : 1N8033-GA

Вытворца : GeneSiC Semiconductor

Апісанне : DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

Серыя : -

Статус часткі : Obsolete

Дыёдны тып : Silicon Carbide Schottky

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 650V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 4.3A (DC)

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.65V @ 5A

Хуткасць : No Recovery Time > 500mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 0ns

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 650V

Ёмістасць @ Vr, F : 274pF @ 1V, 1MHz

Тып мантажу : Surface Mount

Пакет / футляр : TO-276AA

Пакет прылад пастаўшчыка : TO-276

Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 250°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

MMBD4148-D87Z

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.
BAT54-D87Z

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.
IDB18E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.
VS-MBRD340PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DPAK.
VS-50WQ03FNTRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK.
VS-50WQ03FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK.

Гарачыя часткі