Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя
  5. 1N8033-GA

GeneSiC Semiconductor - 1N8033-GA

KEY Part #: K6446536

1N8033-GA Цэнаўтварэнне (USD) [1732шт шт]

  • 10 pcs$91.47585
Частка нумар:
1N8033-GA
Вытворца:
GeneSiC Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - SCR, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - JFET, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor 1N8033-GA. 1N8033-GA можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N8033-GA Атрыбуты прадукту

Частка нумар : 1N8033-GA
Вытворца : GeneSiC Semiconductor
Апісанне : DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
Серыя : -
Статус часткі : Obsolete
Дыёдны тып : Silicon Carbide Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 650V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 4.3A (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.65V @ 5A
Хуткасць : No Recovery Time > 500mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 0ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 650V
Ёмістасць @ Vr, F : 274pF @ 1V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : TO-276AA
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-276
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 250°C
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • MMBD4148-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

  • BAT54-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • IDB18E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.

  • VS-MBRD340PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 3A DPAK.

  • VS-50WQ03FNTRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ03FNPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK.

Гарачыя часткі