ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43LR32160C-6BL-TR

KEY Part #: K937012

IS43LR32160C-6BL-TR Цэнаўтварэнне (USD) [15675шт шт]

  • 1 pcs$4.04473
  • 2,500 pcs$4.02460

Частка нумар:
IS43LR32160C-6BL-TR
Вытворца:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Падрабязнае апісанне:
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Інтэрфейс - прамы лічбавы сінтэз (DDS), Збор дадзеных - лічбавыя патэнцыяметры, Логіка - зашчапкі, PMIC - Напружанне, Гадзіннік / таймінг - Гадзіны рэальнага часу, Гадзіннік / тэрміны - буферныя гадзіны, драйверы, Логіка - зменныя рэестры and Убудаваныя - мікракантролеры ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160C-6BL-TR. IS43LR32160C-6BL-TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43LR32160C-6BL-TR Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IS43LR32160C-6BL-TR
Вытворца : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Апісанне : IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып памяці : Volatile
Фармат памяці : DRAM
Тэхналогіі : SDRAM - Mobile LPDDR
Памер памяці : 512Mb (16M x 32)
Тактовая частата : 166MHz
Час цыкла напісання - слова, старонка : 12ns
Час доступу : 5.5ns
Інтэрфейс памяці : Parallel
Напружанне - падача : 1.7V ~ 1.95V
Працоўная тэмпература : 0°C ~ 70°C (TA)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 90-TFBGA
Пакет прылад пастаўшчыка : 90-TFBGA (8x13)

Апошнія навіны

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28BV256-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 2.7V - 3.6V SDP- 200NS IND TEMP

  • AT28C256-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 11MIL GRIND 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-90SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 90NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28HC256-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • W29N04GVBIAF

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 3V, 4-bit ECC, 3V, x8