GeneSiC Semiconductor - DB105G

KEY Part #: K6537584

Падрабязнае апісанне:: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB. Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A600P/420R

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor DB105G. DB105G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : DB105G

Вытворца : GeneSiC Semiconductor

Апісанне : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB

Серыя : -

Статус часткі : Active

Дыёдны тып : Single Phase

Тэхналогіі : Standard

Напруга - максімальная рэверсія (макс.) : 600V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.1V @ 1A

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 600V

Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)

Тып мантажу : Through Hole

Пакет / футляр : 4-EDIP (0.321", 8.15mm)

Пакет прылад пастаўшчыка : DB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

VSKT500-14

Vishay Semiconductor Diodes Division

SCR DBL 2SCR 1400V 500A MAGNAPAK.
VSKT500-16

Vishay Semiconductor Diodes Division

SCR DBL 2SCR 1600V 500A MAGNAPAK.
VSKH500-12

Vishay Semiconductor Diodes Division

SCR 1200V 500A SUPER MAGN-A-PAK.
GBPC3506W-E4/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35 Amp 600 Volt
KBPC5002W

GeneSiC Semiconductor

BRIDGE RECT 1P 200V 50A KBPC-W. Bridge Rectifiers 200 V - 50 A
KBPC5010W

GeneSiC Semiconductor

BRIDGE RECT 1P 1KV 50A KBPC-W. Bridge Rectifiers 1000 V - 50 A

Гарачыя часткі