Частка нумар :
DMT6002LPS-13
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
100A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
130.8nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
6555pF @ 30V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2.3W
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PowerDI5060-8
Пакет / футляр :
8-PowerTDFN