ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S16160J-7BLI

KEY Part #: K939390

IS42S16160J-7BLI Цэнаўтварэнне (USD) [24994шт шт]

  • 1 pcs$2.18146

Частка нумар:
IS42S16160J-7BLI
Вытворца:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Падрабязнае апісанне:
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: PMIC - лазерныя драйверы, Збор дадзеных - лічбавыя патэнцыяметры, PMIC - кантролеры гарачай замены, Логіка - кампаратары, Убудаваны - PLDs (праграмуемая лагічная прылада), Інтэрфейс - драйверы, прыёмнікі, прымачы, PMIC - Поўны, полумостовый драйвер and PMIC - пераўтваральнікі пераменнага току, аўтаномн ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-7BLI. IS42S16160J-7BLI можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS42S16160J-7BLI Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IS42S16160J-7BLI
Вытворца : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Апісанне : IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып памяці : Volatile
Фармат памяці : DRAM
Тэхналогіі : SDRAM
Памер памяці : 256Mb (16M x 16)
Тактовая частата : 143MHz
Час цыкла напісання - слова, старонка : -
Час доступу : 5.4ns
Інтэрфейс памяці : Parallel
Напружанне - падача : 3V ~ 3.6V
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 85°C (TA)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 54-TFBGA
Пакет прылад пастаўшчыка : 54-TFBGA (8x8)

Апошнія навіны

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.