Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ETH0806-M3

KEY Part #: K6446888

VS-ETH0806-M3 Цэнаўтварэнне (USD) [83500шт шт]

  • 1 pcs$0.45991
  • 10 pcs$0.41308
  • 25 pcs$0.39201
  • 100 pcs$0.30457
  • 250 pcs$0.28473
  • 500 pcs$0.25162
  • 1,000 pcs$0.19865
  • 2,500 pcs$0.18540
  • 5,000 pcs$0.17657

Частка нумар:
VS-ETH0806-M3
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2. Rectifiers 8A 600V Hyperfast 21ns
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ETH0806-M3. VS-ETH0806-M3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ETH0806-M3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : VS-ETH0806-M3
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
Серыя : FRED Pt®
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 8A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 2.65V @ 8A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 21ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 12µA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : TO-220-2
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220-2
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • GPP60G-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 6A P600.

  • GPP60B-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

  • BYM07-200HE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • MBRB7H45-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO263AB.

  • MBRB750HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 50V 7.5A TO263AB.

  • MBRB7H35-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO263AB.