Vishay Siliconix - IRFD014PBF

KEY Part #: K6403147

IRFD014PBF Цэнаўтварэнне (USD) [96413шт шт]

  • 1 pcs$0.41810
  • 10 pcs$0.34567
  • 100 pcs$0.26665
  • 500 pcs$0.19751
  • 1,000 pcs$0.15801

Частка нумар:
IRFD014PBF
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix IRFD014PBF. IRFD014PBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFD014PBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRFD014PBF
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 1.7A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 310pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.3W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Пакет / футляр : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў