Microsemi Corporation - JAN1N647-1

KEY Part #: K6444050

[2582шт шт]


    Частка нумар:
    JAN1N647-1
    Вытворца:
    Microsemi Corporation
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JAN1N647-1. JAN1N647-1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN1N647-1 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : JAN1N647-1
    Вытворца : Microsemi Corporation
    Апісанне : DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
    Серыя : -
    Статус часткі : Active
    Дыёдны тып : Standard
    Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 400V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 400mA
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1V @ 400mA
    Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 50nA @ 400V
    Ёмістасць @ Vr, F : -
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет / футляр : DO-204AH, DO-35, Axial
    Пакет прылад пастаўшчыка : DO-35
    Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • RJU60C2SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

    • RJU60C3SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

    • BAS16-D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.

    • VS-50WQ06FNTRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.